Please use this identifier to cite or link to this item:
https://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/38237
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Pagonis, Ioannis | en |
dc.contributor.author | Παγώνης, Ιωάννης | el |
dc.date.accessioned | 2024-07-23T10:48:55Z | - |
dc.date.available | 2024-07-23T10:48:55Z | - |
dc.identifier.uri | https://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/38237 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.26268/heal.uoi.17943 | - |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | Composite thin films | en |
dc.subject | Magnetron sputtering | en |
dc.subject | Oxygen plasma treatment | en |
dc.subject | Tin oxides | en |
dc.subject | Zirconium dioxide | en |
dc.subject | Electric properties | en |
dc.subject | Photoresponsivity | en |
dc.subject | Σύνθετα λεπτά υμένια | el |
dc.subject | Μαγνητικά υποβοηθούμενη ιοντοβολή | el |
dc.subject | Διεργασία πλάσματος οξυγόνου | el |
dc.subject | Οξείδια κασσιτέρου | el |
dc.subject | Διοξείδιο ζιρκονίου | el |
dc.subject | Ηλεκτρικές ιδιότητες | el |
dc.subject | Φωτοαπόκριση | el |
dc.title | Growth and characterization of Type I (Straddling gap) and Type II (staggered gap) heterojunctions alignment in thin films for potential photovoltaic applications | en |
dc.title | Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός ετεροεπαφών ημιαγωγών λεπτών υμενίων με ενεργειακά χάσματα Τύπου Ι και Τύπου ΙΙ για δυνητικές εφαρμογές φωτοβολταϊκών διατάξεων | el |
dc.type | masterThesis | en |
heal.type | masterThesis | el |
heal.type.en | Master thesis | en |
heal.type.el | Μεταπτυχιακή εργασία | el |
heal.generalDescription | Επιπρόσθετα έχει σταλεί και επιστημονικό άρθρο στο περιοδικό Thin Solid Films της Elsevier, βασισμένο στα πειραματικά αποτελέσματα αυτής της δουλειάς. | el |
heal.classification | Solid state physics | en |
heal.classification | Φυσική στερεάς κατάστασης | el |
heal.dateAvailable | 2024-07-23T10:49:55Z | - |
heal.language | en | el |
heal.access | free | el |
heal.recordProvider | Πανεπιστημιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών | el |
heal.recordProvider | University of Ioannina. Department of Physics | en |
heal.publicationDate | 2024-07 | - |
heal.abstract | We present results referring to the performances of two different thin films, one composed by two semiconductors exhibiting band alignment of Type I (straddling gap) and another on of Type II (staggered gap). The films were grown by means of a two-step process consisting in depositing first a metallic layer on silicon n-type semiconductor and subsequently oxidize it in oxygen plasma. For the type I band gap system we grow a Zr-Ti-Cu alloy, while for, the type II, we deposited metallic tin (Sn) considering that upon oxidation SnxOy, SnO SnO2 will be produced that are n,p and n type semiconductors, respectively. The grown films were analyzed by means of X-Ray Diffraction (XRD) and X-Ray Photoelectron spectroscopy (XPS) for the structural and compositional characterizations, while we used I-V four probe and photo-current measurements for the assessment of their photo-electrical performances. It came out that the systems containing semiconductors having electronic Type II band alignment perform significantly better than those of type I, suggesting that these systems could be promising for photo-electric application. | en |
heal.abstract | Παρουσιάζουμε αποτελέσματα μελέτης αναφορικά με τις επιδόσεις δύο διαφορετικών συστημάτων λεπτών υμενίων, εκ των οποίων το ένα αποτελείται από δύο ημιαγώγιμα υλικά στα οποία η ευθυγράμμιση των ενεργειακών ζωνών τους σχηματίζουν ετεροεπαφές Τύπου Ι (straddling gap) και στο άλλο Τύπου ΙΙ (staggered gap). Τα λεπτά υμένια αναπτύχθηκαν με μια διαδικασία δύο βημάτων εκ των οποίων το πρώτο βήμα είναι η εναπόθεση με την μέθοδο της μαγνητικά υποβοηθούμενης ιοντοβολής (magnetron sputtering) ενός μεταλλικού υμενίου σε υπόστρωμα n-τύπου Si(001) και ακολούθως οξείδωση με χρήση πλάσματος οξυγόνου. Για το σύστημα της ετεροεπαφής Τύπου Ι (straddling gap) αναπτύξαμε κράμα Zr-Ti-Cu που ακολούθως οξειδώθηκε, ενώ για την ετεροεπαφή Τύπου ΙΙ (staggered gap) εναποθέσαμε μεταλλικό Sn ο οποίος κατόπιν οξείδωσης σε πλάσμα οξυγόνου παρήγαγε SnxOy , SnO και SnO2 τα οποία είναι n,p και n τύπου ημιαγωγοί αντιστοίχως. Τα αναπτυχθέντα λεπτά υμένια αναλύθηκαν ως προς την κρυσταλλική δομή με σκέδαση ακτινών-Χ (XRD) και ως προς τον στοιχειακό και χημικό χαρακτηρισμό με την μέθοδο της φασματοσκοπίας φωτοηλεκτρονίων ακτινών-Χ (XPS). Για την πρώτη εκτίμηση των φωτο-ηλεκτρικών επιδόσεων των συστημάτων λεπτών υμενίων πραγματοποιήθηκε I-V ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με μέτρηση 4-σημείων και με μετρήσεις φωτορεύματος σε μέτρηση 2-σημείων. Αποδείχθηκε ότι τα συστήματα τα οποία εμπεριέχουν ημιαγωγούς με ετεροεπαφές Τύπου ΙΙ αποδίδουν πολύ καλύτερα σε σχέση με εκείνα που έχουν Τύπου Ι, υποδηλώνοντας ότι αυτά τα υλικά είναι πολλά υποσχόμενα για μελλοντικές φωτοηλεκτρικές χρήσεις. | el |
heal.advisorName | Ευαγγελάκης, Γεώργιος | el |
heal.committeeMemberName | Δεληγιαννάκης, Ιωάννης | el |
heal.committeeMemberName | Ευαγγέλου, Ευάγγελος | el |
heal.committeeMemberName | Ευαγγελάκης, Γεώργιος | |
heal.academicPublisher | Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής | el |
heal.academicPublisherID | uoi | el |
heal.numberOfPages | 109 | el |
heal.fullTextAvailability | true | - |
heal.fullTextAvailability | true | - |
Appears in Collections: | Διατριβές Μεταπτυχιακής Έρευνας (Masters) - ΦΥΣ |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Μ.Ε. Παγώνης Ιωάννης (2024).pdf | 5.12 MB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License